Pat
J-GLOBAL ID：200903021352180044
半導体発光素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994233177
Publication number (International publication number)：1996097514
Application date： Sep. 28, 1994
Publication date： Apr. 12, 1996
Summary：
【要約】【目的】 端面で劣化が起こらず、共振器長の調整が容易で、基板面と直角方向にビーム光を取り出しうる半導体発光素子を提供する。【構成】 活性層4が両側からクラッド層3、6、8により挟持されたサンドイッチ構造を少なくとも有する半導体層が基板1の表面に積層され、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記両クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さい材料で形成されるダブルヘテロ接合型の半導体発光素子であって、前記活性層の少なくとも1つの端面が前記半導体層の積層面に対して45°の傾斜面とされ、前記活性層からの光を該積層面と直角方向に反射させる。
Claim (excerpt)：
活性層が両側からクラッド層により挟持されたサンドイッチ構造を少なくとも有する半導体層が基板表面に積層され、前記活性層のバンドギャップエネルギーが前記両クラッド層のバンドギャップエネルギーより小さい材料で形成されるダブルヘテロ接合型の半導体発光素子であって、前記活性層の少なくとも1つの端面が前記半導体層の積層面に対して45°の傾斜面とされ、前記活性層からの光を該積層面と直角方向に反射させる半導体発光素子。
IPC (2)：
Return to Previous Page
