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J-GLOBAL ID：200903021352431454
シングルイオン注入装置及び方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
玉蟲 久五郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993123621
Publication number (International publication number)：1994308300
Application date： Apr. 27, 1993
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：
【要約】【目的】 FIBもしくはMIBを用いてシングルイオンをチョッパにより抽出した低エネルギー(10keV〜100keV)もしくは高エネルギー(1MeV〜4MeV)シングルイオン注入装置及びシングルイオン注入方法を提供することにある。【構成】 集束イオンビーム装置(FIB)に対してシングルイオン照射用イオン源(16)、ビームチョップ用静電偏向板(20)、シングルイオン抽出用アパーチャ(21)を主要な構成要素として具備する低エネルギーシングルイオン注入装置、もしくは、イオンマイクロプローブに対してドーパントイオン注入および高LETイオン照射を可能にするCsスパッタイオン源(33)を具備する高エネルギーシングルイオン注入装置としての構成を有する。イオン注入法としては上記両装置により抽出されたシングルイオンを試料の所定の部位にそれぞれ50nmφ,1.5 μmφの照準精度でシングルイオン注入を行なう工程を含む。
Claim (excerpt)：
第1の超高真空槽と、前記第1の超高真空槽に接続された試料準備室としての第2の超高真空槽と、前記第1の超高真空槽に接続された集束イオンビーム装置とから構成された低エネルギーイオン注入装置において、前記集束イオンビーム装置はビームチョップによりシングルイオンを抽出することを特徴とする低エネルギーシングルイオン注入装置。
IPC (4)：
G21K 5/04
, G21H 5/00
, H01J 37/317
, H01L 21/265
