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J-GLOBAL ID：200903021355147528

配向性強誘電体薄膜素子

Inventor： 梨本 恵一
Applicant, Patent owner： 富士ゼロックス株式会社
Agent (1)： 渡部 剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993163891
Publication number (International publication number)：1994196018
Application date： Jun. 10, 1993
Publication date： Jul. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 単結晶Si(100) 基板上にエピタキシャルまたは配向性の強誘電体薄膜を形成することを目的とし、本発明により不揮発性メモリーやキャパシター、または光スイッチなどの素子をSi半導体基板上に作製することができる。【構成】 配向性強誘電体薄膜素子は、単結晶Si(100) 基板上にエピタキシャルMgOバッファ層が形成され、さらにその上にエピタキシャルまたは配向性のペロブスカイトABO3 型強誘電体薄膜が形成された構造を有する。単結晶Si(100) 基板とエピタキシャルMgOバッファ層の結晶学的関係はMgO(100)//Si(100) 、面内方位MgO[100] //Si[100] であり、また、エピタキシャルMgOバッファ層とペロブスカイトABO3 型強誘電体薄膜の結晶学的関係は、ABO3 (001)//MgO(100) またはABO3 (100) //MgO(100) 、面内方位ABO3 [010]//MgO[001] またはABO3 [001] //MgO[001] である。

Claim (excerpt)：

単結晶Si(100)基板上にエピタキシャルMgOバッファ層が形成され、さらにその上にエピタキシャルまたは配向性のペロブスカイトABO3 型強誘電体薄膜が形成されていることを特徴とする配向性強誘電体薄膜素子。

IPC (2)：

H01B 3/00 ,  H01L 27/108

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭61-185808
  
• 特開昭61-185809