Pat

J-GLOBAL ID：200903021372435758

ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法

Inventor： 後藤 日出人 ,  松井 剛 ,  宮崎 正男 ,  森 清人
Applicant, Patent owner： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  関東化学株式会社
Agent (1)： 南 孝夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992105186
Publication number (International publication number)：1993259066
Application date： Mar. 13, 1992
Publication date： Oct. 08, 1993
Summary：

【要約】【構成】 芳香環式フェノール化合物および芳香環式カルボン酸化合物よりなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物と有機アミンを含有する水溶液からなることを特徴とするポジ型フォトレジスト用剥離液ならびに該剥離液によりドライエッチングの際に形成させたポジ型フォトレジストの側壁保護堆積膜を導電層上より剥離する工程を含む半導体装置の製造方法。【効果】 このポジ型フォトレジスト用の剥離液は、ドライエッチングの際に形成させたポジ型フォトレジストの側壁保護堆積膜に対する剥離性に優れ、アフターコロージョン防止性と配線材料に対する非腐食性とを兼ね備え、作業の簡便性においても優れている。

Claim (excerpt)：

芳香環式フェノール化合物および芳香環式カルボン酸化合物よりなる群より選ばれる少なくとも1種の化合物と有機アミンとを含有する水溶液からなることを特徴とするポジ型フォトレジスト用剥離液。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/30 361 R ,  H01L 21/88 N ,  H01L 21/88 D