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J-GLOBAL ID：200903021373507426

多階調マスク、レジストパターンの形成方法、及び光学素子の製造方法

Inventor： 川島 敦道 ,  世古 悟
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001169885
Publication number (International publication number)：2002365784
Application date： Jun. 05, 2001
Publication date： Dec. 18, 2002
Summary：

【要約】【課題】 レジストの厚みによって光学濃度の階調数が制限される場合であっても、実質的な光学濃度の階調数を増加させる。【解決手段】 所定の階調数で光学濃度を異ならせた濃淡パターン2が設けられ、濃淡パターン2は、第1の光学濃度レベルAを有する第1の領域4と、第1の光学濃度レベルAに次ぐ第2の光学濃度レベルBを有する第2の領域5と、第1の領域4と第2の領域5との間に、第1の光学濃度レベルAを有する第1の区域4aと第2の光学濃度レベルBを有する第2の区域5aとが混在する混在領域6とを有している。これにより、第1の領域4と第2の領域5との間の混在領域6に、第1の光学濃度レベルAと第2の光学濃度レベルBとの中間の階調Cを擬似的に設定することができ、多階調マスク1の実質的な階調数を増加させることができる。

Claim (excerpt)：

所定の階調数で光学濃度を異ならせた濃淡パターンが設けられ、上記濃淡パターンは、第1の光学濃度レベルを有する第1の領域と、上記第1の光学濃度レベルに次ぐ第2の光学濃度レベルを有する第2の領域と、 上記第1の領域と上記第2の領域との間に、上記第1の光学濃度レベルを有する第1の区域と、上記第2の光学濃度レベルを有する第2の区域とが混在する混在領域とを有すること特徴とする多階調マスク。

IPC (4)：

G03F 1/08 ,  G02B 3/00 ,  G02B 5/00 ,  G03F 7/40 521

FI (4)：

G03F 1/08 D ,  G02B 3/00 Z ,  G02B 5/00 A ,  G03F 7/40 521

F-Term (11)：

2H042AA06 ,  2H042AA11 ,  2H042AA12 ,  2H042AA25 ,  2H095BB02 ,  2H095BB36 ,  2H095BC09 ,  2H096AA28 ,  2H096EA30 ,  2H096HA23 ,  2H096JA04