Pat

J-GLOBAL ID：200903021386008330

セラミックパターン形成法

Inventor： 佐 藤 弘 章 ,  出 水 司 ,  久 保 田 由 美 子
Applicant, Patent owner： 日本合成化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994117699
Publication number (International publication number)：1995300381
Application date： May. 06, 1994
Publication date： Nov. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 セラミック材料によるパターン形成性が良好なセラミックパターン形成法を提供すること。【構成】 ベースポリマー(A)、エチレン性不飽和化合物(B)、N-フェニルグリシン(C)、4,4’-ジアルキルアミノベンゾフェノン(D)、pKaが2〜4の有機カルボン酸(E)、ベンゾトリアゾール誘導体(F)及びトリアジン誘導体(G)を含んでなり、(C)ないし(G)の含有量が、(A)と(B)の合計量100重量部に対して、(C)が0.01〜5重量部、(D)が0.001〜0.1重量部、(E)が0.05〜5重量部、(F)が0.03〜1.0重量部、(G)が0.01〜1.0重量部である感光性樹脂組成物からなるフォトレジスト層を基板上に形成し、次いで該フォトレジスト層に対してパターン露光及び現像を行うことにより前記基板上に所要のパターンの雌型を形成し、続いて該雌型により得られた開口部にセラミック材料を充填した後、前記雌型を消失せしめる。

Claim (excerpt)：

ベースポリマー(A)、エチレン性不飽和化合物(B)、N-フェニルグリシン(C)、4,4’-ジアルキルアミノベンゾフェノン(D)、pKaが2〜4の有機カルボン酸(E)、ベンゾトリアゾール誘導体(F)及びトリアジン誘導体(G)を含んでなり、(C)ないし(G)の含有量が、(A)と(B)の合計量100重量部に対して、(C)が0.01〜5重量部、(D)が0.001〜0.1重量部、(E)が0.05〜5重量部、(F)が0.03〜1.0重量部、(G)が0.01〜1.0重量部である感光性樹脂組成物からなるフォトレジスト層を基板上に形成し、次いで該フォトレジスト層に対してパターン露光及び現像を行うことにより前記基板上に所要のパターンの雌型を形成し、続いて該雌型により得られた開口部にセラミック材料を充填した後、前記雌型を消失せしめることによりセラミック材料による目的パターンを得ることを特徴とするセラミックパターン形成法。

IPC (3)：

C04B 41/87 ,  G03B 27/32 ,  H01B 5/14