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J-GLOBAL ID：200903021388882584
集積回路、その製造方法およびその薄膜形成装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
曾我 道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992001498
Publication number (International publication number)：1993179433
Application date： Jan. 08, 1992
Publication date： Jul. 20, 1993
Summary：
【要約】【目的】 高品質の半導体バリア層を有する大規模集積回路を得ることを目的とする。【構成】 配線膜60の下地に用いられるバリア層65に酸化窒化チタン薄膜を用いた。
Claim (excerpt)：
配線膜の下地に用いられるバリア層に酸化窒化チタン(TiON)薄膜を用いたことを特徴とする集積回路。
IPC (4)：
C23C 14/32
, C23C 14/06
, C23C 14/54
, H01L 21/3205
