Pat

J-GLOBAL ID：200903021394890823

電子線励起固相成長方法

Inventor： 清水 紀嘉 ,  上田 修 ,  北田 秀樹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996271995
Publication number (International publication number)：1998116787
Application date： Oct. 15, 1996
Publication date： May. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 電子線励起固相成長方法に関し、低温で、且つ、所望の領域の非晶質薄膜を再現性良く単結晶化する。【解決手段】 基板1上に非晶質薄膜2を堆積したのち、非晶質薄膜2に電子線3を照射して非晶質薄膜2に空孔・格子間原子型欠陥を誘起し、非晶質薄膜2を結晶化する。

Claim (excerpt)：

基板上に非晶質薄膜を堆積したのち、前記非晶質薄膜に電子線を照射して前記非晶質薄膜に空孔・格子間原子型欠陥を誘起し、前記非晶質薄膜を結晶化することを特徴とする電子線励起固相成長方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/263 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/263 F ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/78 627 G