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J-GLOBAL ID：200903021429390926

投影露光方法及びその装置

Inventor： 山梨 弘将 ,  伊東 昌昭 ,  武田 英次 ,  松坂 尚
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 薄田 利幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994032544
Publication number (International publication number)：1995244199
Application date： Mar. 02, 1994
Publication date： Sep. 19, 1995
Summary：

【要約】【目的】異なる反射特性を持った反射型マスクを使用しても、露光強度の低下をできるだけ避けながら、高い露光強度と高解像度とを維持し、スル-プット低下を抑えることのできるX線投影露光方法とその装置を提供する。【構成】投影露光法により、反射型マスク12のパターンを、反射鏡11を備えた結像光学系により基板10上に転写するに際し、マスク12と光源19との間およびマスク12と結像光学系との間の少なくとも一方に、入射角制御用反射鏡13を設ける。マスク12の反射特性が変化してマスク14の特性となった際には、マスク14を矢印方向に傾けて(回転して)基板上の投影露光強度が最大になるように入射角を調整する。調整後の入射角においても結像光学系のビーム位置と方向とが変わらず常に一定となるようにするため入射角制御用反射鏡13を17の位置に移動して補正する。

Claim (excerpt)：

X線で反射型マスクを照明し、反射鏡で構成される結像光学系により、前記反射型マスク上のパタ-ンを基板に転写する投影露光方法において、前記反射型マスクへ入射するX線ビ-ムの入射角を、基板に投影される露光強度に基づいて変化させる工程と、前記入射角の変化に拘らず前記結像光学系へ入射するX線ビ-ムの位置と方向とを一定に保持する工程とを有して成る投影露光方法。

IPC (3)：

G21K 1/06 ,  G03B 27/54 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 531 E ,  H01L 21/30 531 A