酸化珪素膜の加熱処理方法および加熱処理装置

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994212031
Publication number (International publication number)：1996055846
Application date： Aug. 11, 1994
Publication date： Feb. 27, 1996
Summary：

【要約】【目的】 PVD法やCVD法によって形成された酸化珪素膜を薄膜トランジスタのゲイト絶縁膜として用いるための、良好な加熱処理方法および加熱処理装置を提供する。【構成】 PVD法やCVD法によって、珪素膜からなる活性層上に形成した酸化珪素膜に対して、紫外光を照射しながら、一酸化二窒素雰囲気において300〜700°Cの加熱処理をおこなうことによって、酸化珪素膜中の水素や炭素を低減し、特に珪素膜との界面に窒素を取り込むことによってゲイト絶縁膜として良好な酸化珪素膜を形成する。

Claim (excerpt)：

加熱処理をおこなうチャンバー内を真空にする工程と、前記工程後に、チャンバー内に一酸化二窒素を導入する工程とを有し、前記工程によって得られた一酸化二窒素雰囲気において、350°C以上600°C以下の温度に加熱された酸化珪素膜に紫外光を照射することを特徴とする酸化珪素膜の加熱処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/316 , H01L 21/324 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 617 S , H01L 29/78 617 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

薄膜状半導体装置の作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-176193 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
薄膜状半導体装置の作製方法。
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-191934 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
絶縁ゲイト型半導体装置とその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-102202 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

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