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J-GLOBAL ID：200903021450874208

化合物半導体の蒸気圧制御方法及び装置

Inventor： 岡部 良宏 ,  下山 真一
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (1)： 篠原 泰司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991255408
Publication number (International publication number)：1993097564
Application date： Oct. 02, 1991
Publication date： Apr. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 化合物半導体の合成,結晶成長又は熱処理等において、成分元素溜めに対する温度制御に依存することなく、成分元素蒸気圧を的確に制御し得る化合物半導体の蒸気圧制御方法及び装置を提供することである。【構成】 化合物半導体を構成する元素4又は化合物半導体及びその構成元素2を真空封入した石英容器5を圧力容器9内で所定温度まで昇温し、上記石英容器5の変形量をマイクロメータ14によって検出すると共に、上記石英容器5の変形量に応じて石英容器5内の上記化合物半導体の温度,上記化合物半導体を構成する元素4の温度又は上記圧力容器9の内圧の少なくとも一つを変更し、これにより上記石英容器5の変形を抑制すると共に、該石英容器5の変形が停止した時の上記圧力容器9の内圧を上記化合物半導体の蒸気圧として読み取って、該蒸気圧に応じて上記石英容器5内の上記化合物半導体の温度及び上記化合物半導体を構成する元素4の温度の少なくとも一つを変更するようにしたものである。

Claim (excerpt)：

化合物半導体を構成する元素又は化合物半導体及びその構成元素を真空封入した石英容器を圧力容器内で所定温度まで昇温し、上記石英容器の変形量をマイクロメータによって検出すると共に、上記石英容器の変形量に応じて石英容器内の上記化合物半導体の温度,上記化合物半導体を構成する元素の温度又は上記圧力容器の内圧の少なくとも一つを変更し、これにより上記石英容器の変形を抑制すると共に、該石英容器の変形が停止した時の上記圧力容器の内圧を上記化合物半導体の蒸気圧として読み取って、該蒸気圧に応じて上記石英容器内の上記化合物半導体の温度及び上記化合物半導体を構成する元素の温度の少なくとも一つを変更するようにした化合物半導体の蒸気圧制御方法。

IPC (2)：

C30B 11/00 ,  C30B 29/40 501