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J-GLOBAL ID：200903021455328589

樹脂封止型半導体装置

Inventor： 善積 章 ,  藤枝 新悦 ,  カオ・ミン・タイ ,  太田 英男
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992074871
Publication number (International publication number)：1993283562
Application date： Mar. 31, 1992
Publication date： Oct. 29, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 封止された半導体素子の消費電力量が低く、且つ演算速度を落とさず、更に優れた耐湿信頼性、優れた熱放散性、VPS後の優れた耐クラック性を有するとともに、生産性に優れた樹脂封止半導体装置を提供する。【構成】 低誘電率樹脂層2、封止樹脂層3および水分遮断層4を積層して作製された封止用絶縁体9を用いて、アセンブリーされた半導体素子1を封止する。【効果】 高速演算化と高密度化が不可欠な次世代メモリー等の半導体素子にも対応でき、また、樹脂封止をイン・ラインでの樹脂封止工程で製造できるため、高い生産性を有する。

Claim (excerpt)：

誘電率4.0以下の低誘電率樹脂層および無機充填材を含む封止樹脂層の少なくとも二つの機能層を具備した封止用絶縁体により、前記低誘電率樹脂層が半導体素子の能動面を直接被覆するように半導体素子を封止してなる樹脂封止型半導体装置。

IPC (3)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/56

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-265162
  
• 特開昭61-237455
  
• 特開平2-253923
  
• 特開平3-207730