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J-GLOBAL ID：200903021457090741
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991204190
Publication number (International publication number)：1993048113
Application date： Aug. 14, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 セル面積を縮小し、微細化、高集積化を可能にすることができる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。【構成】 半導体基板11に設けられたソース領域およびドレイン領域19に挟まれたチャネル領域の上にトンネリング媒体となる薄い酸化シリコン膜12が形成され、この薄い酸化シリコン膜12の上に窒化シリコン膜13と第1ゲート電極14が形成されたゲート構造を有するMNOS構造の不揮発性半導体記憶装置において、ゲート構造の側壁に形成された側壁絶縁膜15と側壁絶縁膜15に接し半導体基板11の上に形成されたゲート絶縁膜16とを介して設けられた第2ゲート電極17を有する。
Claim (excerpt)：
半導体基板に設けられたソース領域およびドレイン領域に挟まれたチャネル領域の上にトンネリング媒体となる薄い酸化シリコン膜を備え、前記薄い酸化シリコン膜の上に窒化シリコン膜よりなる第1の絶縁膜を備え、前記第1の絶縁膜の上に第1ゲート電極を備えたゲート構造を有するMNOS(ゲート電極-窒化シリコン膜-酸化シリコン膜-半導体基板)構造の不揮発性半導体記憶装置において、前記ゲート構造の側壁に形成された第2の絶縁膜と前記第2の絶縁膜に接し半導体基板の上に形成されたゲート絶縁膜とを介して設けられた第2ゲート電極を有する不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
