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J-GLOBAL ID：200903021463050506
アモルファスシリコンの成膜方法、及び、薄膜トラ ンジスタの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993181470
Publication number (International publication number)：1995037825
Application date： Jul. 22, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】 高歩留りで薄膜トランジスタアレイを製造できるようになるアモルファスシリコンの成膜方法、及び、薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】 ガス分解用高周波電源の出力を500Hz以上の繰り返し周波数でオンオフし、かつ、該高周波電源の出力のオン期間が該繰り返しの周期の30%以下であるような条件で、シラン系のガスを分解することを特徴とするアモルファスシリコンの成膜方法、及び、そのアモルファスシリコン膜を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を用いる。
Claim (excerpt)：
ガス分解用高周波電源の出力を500Hz以上の繰り返し周波数でオンオフし、かつ、該高周波電源の出力のオン期間が該繰り返しの周期の30%以下であるような条件で、シラン系のガスを分解することにより成膜することを特徴とするアモルファスシリコンの成膜方法。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C23C 16/24
, C23C 16/50
