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J-GLOBAL ID：200903021465761027

トンネル接合超伝導素子、磁気センサ、メモリ及びスイッチング素子

Inventor： 柏谷 聡 ,  田仲 由喜夫
Applicant, Patent owner： 経済産業省産業技術総合研究所長
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000000086
Publication number (International publication number)：2001189498
Application date： Jan. 04, 2000
Publication date： Jul. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 磁束量子単位で作動するという制約のない磁気感応型トンネル接合超伝導素子を作製し、素子の微細化を図ること。【解決手段】 正常金属/常磁性体障壁/超伝導体の接合素子であって、正常金属電極に電圧端子、電流端子、超伝導体に2端子の四端子を設けたトンネル接合超伝導体素子を作製する。常磁性体障壁は磁界に感応して出力電圧(又は電流)の変動を出力する。この素子を磁気センサに使用する。さらに、素子に常磁性障壁の上に2個の強磁性体薄膜を、強磁性体薄膜を磁化する2個の書き込み信号手段を設けて情報を記憶させ、電圧端子または電流端子から記憶情報を読み取るメモリに、及び、複数の入力信号線を上記トンネル接合超伝導素子に設けて、入力信号で常磁性体障壁を磁化し、電圧端子または電流端子の信号を出力とする論理素子又はスイッチング手段として利用する。

Claim (excerpt)：

異方性超伝導体と、正常金属と、両者の間に介在された常磁性体障壁と、正常金属に接続された端子と、異方性超伝導体に接続された端子とを具備することを特徴とするトンネル接合超伝導素子。

IPC (2)：

H01L 39/22 ZAA ,  H01L 39/22

FI (3)：

H01L 39/22 ZAA D ,  H01L 39/22 ZAA B ,  H01L 39/22 ZAA G

F-Term (10)：

4M113AA06 ,  4M113AA18 ,  4M113AA22 ,  4M113AC05 ,  4M113AC36 ,  4M113AC46 ,  4M113AC50 ,  4M113AD23 ,  4M113CA21 ,  4M113CA34

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 非線形素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-198522   Applicant：松下電器産業株式会社