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J-GLOBAL ID：200903021466618350

電界効果型半導体装置

Inventor： 幡手 一成 ,  花野 尚慎
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 村上 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991204822
Publication number (International publication number)：1993029629
Application date： Jul. 19, 1991
Publication date： Feb. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 縦型電界効果半導体装置、特にパワーMOSFETに関して、その電界効果によって動作する領域を広くとることにより、半導体装置の特性改善を図ることを目的とする。【構成】 ドレイン電極15とソース電極12間にドレイン電圧を印加した状態で、ゲート電極11とソース電極12間にゲート電圧を印加すると、p型半導体領域6内のチャネル形成領域9がp型からn型へと反転して、ドレイン電流が半導体装置の縦方向に流れるパワーMOSFETのユニット構造において、電界効果によって動作する領域の周辺に形成されるゲート電極11と接続されたゲート配線、又はソース電極12と接続されたソース配線をなくすことにより、電界効果によって動作する領域を広くする。

Claim (excerpt)：

第1導電型ドレイン基板と、このドレイン基板表面に形成された第2導電型半導体領域と、この第2導電型半導体領域内の表面に中央を空けて形成された第1導電型ソース領域と、前記ドレイン基板と前記ソース領域間のチャネル上に形成されたゲート絶縁膜と、このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ソース領域と第2導電型半導体領域上に形成されたソース電極と、前記ゲート電極とソース電極間を絶縁する絶縁膜と、前記ドレイン基板の裏面に形成されたドレイン電極を備え、縦方向に主電流の経路を有する電界効果型半導体装置において、電界効果によって動作する領域の周辺に形成される前記ゲート電極と接続されたゲート配線をなくすことにより、この電界効果によって動作する領域を広くしたことを特徴とする電界効果型半導体装置。