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J-GLOBAL ID：200903021489310352

半導体レーザ装置

Inventor： 岡崎 洋二 ,  福永 敏明
Applicant, Patent owner： 富士写真フイルム株式会社
Agent (1)： 柳田 征史 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999257529
Publication number (International publication number)：2001085793
Application date： Sep. 10, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 高出力・基本モード発振し、信頼性の高い半導体レーザ装置を得る。【解決手段】 GaN基板11上にGa1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層12、Ga1-z2Alz2N光導波層13、Ga1-z2Alz2N/GaN多重量子井戸活性層14、Ga1-z3Alz3Nキャリアブロッキング層15、i-Ga1-z2Alz2N光導波層16、Ga1-z1Alz1N/GaN超格子クラッド層17、GaNコンタクト層18、100μm程度のストライプの領域が除去された絶縁膜19、p側電極20、n側電極21を形成してなる半導体レーザ24を励起光源に用い、GaN基板31上にGaN/AlN超格子分布反射膜32、GaN光閉じ込め層33、Inx2Ga1-x2N/Inx3Ga1-x3N多重量子井戸活性層34、GaN光閉じ込め層35、Alz4Ga1-z4N層36を積層し、ZrO2無反射コート膜37を形成してなる面発光型半導体素子38を励起し、共振器49により紫外〜緑色の波長帯の高出力で基本横モードのレーザ発振48を得る。

Claim (excerpt)：

GaN系半導体を活性層に用いた半導体レーザ素子からなる励起光源と、該励起光源により励起されてレーザ発振する、基板上にGaN系半導体からなる活性層を備えた面発光型半導体素子とを備えてなることを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (3)：

H01S 5/30 ,  H01S 5/04 ,  H01S 5/183

FI (3)：

H01S 3/18 ,  H01S 5/04 ,  H01S 5/183

F-Term (7)：

5F073AA04 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073AB17 ,  5F073BA09 ,  5F073CA07