半導体装置の作製法

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：福田賢三 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001274073
Publication number (International publication number)：2003086792
Application date： Sep. 10, 2001
Publication date： Mar. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】炭化珪素領域を含む半導体基板を用いた高チャネル移動度を有するMISおよびMOS型半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】半導体装置の作製法に関して、炭化珪素領域を含む半導体基板上に、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、あるいはシリコン酸化窒化膜などのゲート絶縁膜を形成する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造において、炭化珪素領域上にゲート絶縁膜を形成した後、900°Cから1000°Cのいずれかの予め決められた温度で、H2O(水)を含んだ雰囲気で予め決められた時間にわたり熱処理する。

Claim (excerpt)：

炭化珪素領域を含む半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を含む半導体装置の作製法において、炭化珪素領域上にゲート絶縁膜を形成した後、900°Cから1000°Cのいずれかの予め決められた温度で、H2O(水)を含んだ雰囲気で予め決められた時間にわたり熱処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製法。

IPC (2)：

H01L 29/78 , H01L 21/316

FI (4)：

H01L 21/316 P , H01L 21/316 S , H01L 29/78 301 B , H01L 29/78 301 G

F-Term (42)：

5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BF56 , 5F058BF62 , 5F058BH02 , 5F058BJ01 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140BA02 , 5F140BA20 , 5F140BD05 , 5F140BD07 , 5F140BD09 , 5F140BE02 , 5F140BE03 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BE17 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BG30 , 5F140BH21 , 5F140BJ01 , 5F140BJ05 , 5F140BJ07 , 5F140BK06 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK25 , 5F140BK29 , 5F140BK38 , 5F140CA02 , 5F140CA03 , 5F140CB01 , 5F140CC03 , 5F140CC12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

炭化ケイ素上の酸化物層の欠陥を少なくするための方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願平9-518224 Applicant：クリーリサーチインコーポレイテッド
炭化珪素半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-310865 Applicant：株式会社デンソー
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-256973 Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 三洋電機株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

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