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J-GLOBAL ID：200903021551039024

複合バンプ構造体とその製造方法

Inventor： 張 世 明 ,  李 育 奇 ,  游 秀 美 ,  リ-フイ・ヤン ,  ジュオ-フエイ・ジョウ
Applicant, Patent owner： 財団法人工業技術研究院
Agent (1)： 湯浅 恭三 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994149582
Publication number (International publication number)：1996017837
Application date： Jun. 30, 1994
Publication date： Jan. 19, 1996
Summary：

【要約】【目的】 複合バンプ構造体とその形成方法を提供すること。【構成】 この複合バンプ構造体は集積回路要素又は基板30の入出力パッド26に形成された導電性金属被膜36によって覆われた、金属に比べて比較的低いヤング率を有するポリマー体32を含む。この複合バンプは物質付着方法、リトグラフィー方法及びエッチング方法を用いて形成される。その後の加工のために望ましい場合には、複合バンプ上にはんだ金属層を形成することができる。

Claim (excerpt)：

入出力パッドを備えた集積回路要素又は基板と;前記入出力パッド上に形成された導電性金属被膜によって覆われたポリマー体から形成される複合バンプとを含む複合バンプ構造体。

IPC (4)：

H01L 21/321 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/24 ,  H05K 3/34 505

FI (3)：

H01L 21/92 C ,  H01L 21/92 D ,  H01L 21/92 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 突起電極の構造および突起電極の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-249163   Applicant：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭58-015252
  
• 半導体装置の電極形成方法と実装体
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-300124   Applicant：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の突起電極構造およびその突起電極形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-029088   Applicant：カシオ計算機株式会社