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J-GLOBAL ID：200903021553943399

有用層で被覆された一対の基板の同時製造方法

Inventor：
ギゼルン、ブルーノ

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オーネット、セシル

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バタヨー、ベヌワ

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マズル、カルロ

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モリショー、ウベール

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Applicant, Patent owner：
エス オー イ テク シリコン オン インシュレータ テクノロジース

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コミツサリア タ レネルジー アトミーク

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Agent (3)： 花村 太 ,  佐藤 正年 ,  佐藤 年哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2006508351
Publication number (International publication number)：2006527478
Application date： Jun. 03, 2004
Publication date： Nov. 30, 2006
Summary：
基板(71, 2)に移載された有用層(110, 120)をそれぞれ備えた少なくとも一対の構造体(51, 52)の同時製造法に関する。この方法は特にa)支持基板(2)に移載された有用層を有する第1段階の構造体を準備する工程、b)有用層の内部に脆弱ゾーンを形成して前面有用層(110)と後面有用層(120)との境界を定める工程、c)前面有用層(110)に固定用基板(71)を貼着する工程、及びd)この積層体を脆弱ゾーン(6)に沿って分離させ、支持基板(2)と後面有用層(120)とを有する第1構造体(51)及び固定用基板(71)と前面有用層(110)とを有する第2構造体(52)の二つの第2段階の構造体を得る工程を備えたことを特徴とする。電子工学、光電子工学又は光学分野に利用される。
Claim (excerpt)：
電子工学、光電子工学又は光学分野における利用のために基板(71, 2)に移載された少なくとも一つの有用層(110, 120)をそれぞれ備えた少なくとも一対の構造体を同時に製造する方法であって、 a)支持基板(2)に移載された有用層(11)を有する第1段階の構造体(5, 5')を準備する工程、 b)第1段階の構造体の有用層(11)の内部に原子種の注入により脆弱ゾーン(6)を形成して前面有用層(110)及び該前面有用層(110)と支持基板(2)との間に位置する後面有用層(120)の二層(110, 120)の境界を定める工程、 c)前面有用層(110)の自由表面(130)に固定用基板(71)を貼着する工程、及び d)工程cで得られた積層体に応力を適用することにより脆弱ゾーン(6)に沿って分離させ、少なくとも支持基板(2)と後面有用層(120)とを有する第1構造体(51, 51')及び少なくとも固定用基板(71)と前面有用層(110)とを有する第2構造体(52, 52')の二つの第2段階の構造体(51, 51', 52, 52')を得る工程、 を備えたことを特徴とする、有用層で被覆された一対の基板の同時製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/12
FI (3)：
H01L21/02 B ,  H01L21/265 Q ,  H01L27/12 B
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 国際公開第01/115218号パンフレット
  • 欧州特許出願公開第0867921号明細書
  • 米国特許出願公開第2002/068418号明細書
Cited by examiner (3)

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