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J-GLOBAL ID：200903021563645914

テーパード・コンタクトを有するマルチビット単一セルメモリ

Inventor： オヴシンスキー、スタンフォード アール.
Applicant, Patent owner： エナージー コンバーション デバイセス インコーポレイテッド
Agent (1)： 三好 秀和 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997538209
Publication number (International publication number)：2000509204
Application date： Apr. 17, 1997
Publication date： Jul. 18, 2000
Summary：

【要約】マルチビット記憶装置機能を備え、メモリ素子を選択された抵抗値に設定するために電気入力信号を供給するための少なくとも1つのコンタクト(6)、およびメモリ素子に隣接したピーク(16)まで次第に減る第2コンタクト(8)を有する、電気的に動作され、直接的に上書き可能であるマルチビット単一セルカルコゲン化物メモリ素子(36)。このようにして、テーパコンタクトは、メモリ素子を通して伝導経路のサイズおよび位置を規定するのに役立つ。

Claim (excerpt)：

少なくとも1つのカルコゲン元素と少なくとも1つの遷移金属元素とを含み、単一セルメモリ素子を成す一定容積のメモリ材料であって、(1)電気抵抗値の大きな動的範囲と、(2)前記単一セルメモリ素子にマルチビットメモリ能力を与えるように、前記メモリ材料の少なくとも1つの線条部分が選択した電気入力信号に応答して前記動的範囲内の複数の抵抗値のうちの1つに設定される能力とによって特徴付けられる前記一定容積のメモリ材料と、 前記選択した電気信号によって、前記材料の以前の抵抗値に関係なく前記動的範囲内の任意の抵抗値に設定することができる、前記単一セルメモリ素子の少なくとも1つの線条部分と、 前記メモリ材料を前記動的範囲内の選択した抵抗値に設定するために前記電気入力信号を供給する、間をおいて配置された第1及び第2コンタクトとから成る、電気的に動作し、直接上書き可能である、マルチビット単一セルメモリ素子であって、 さらに、前記第2コンタクトが前記メモリ材料に隣接したピークに向かってテーパー状に成されていることを改善点とする、前記単一セルメモリ素子。

IPC (3)：

H01L 27/10 431 ,  G11C 11/56 ,  G11C 16/02

FI (3)：

H01L 27/10 431 ,  G11C 11/56 ,  G11C 17/00 641