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J-GLOBAL ID:200903021565934131

単粒子膜エッチングマスクを有する表面微細凹凸構造体形成用基板とその製法及び表面微細凹凸構造体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 金谷 宥 ,  船越 巧子
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007236083
Publication number (International publication number):2009070933
Application date: Sep. 12, 2007
Publication date: Apr. 02, 2009
Summary:
【課題】太陽光発電基板面の反射防止サブ波長微細構造のような反射防止微細凹凸構造の形成に好適な単粒子膜エッチングマスクを有する基板を提供する。【解決手段】(1)基板表面に単粒子を2次元に最密充填配列して形成されている単粒子膜からなるエッチングマスクを有する表面微細凹凸構造体形成用基板。(2)該基板をエッチングして製造される太陽光発電基板。(3)単粒子分散液調製工程、該単粒子分散液を液体面に滴下して単粒子分散液膜を形成する滴下工程、該単粒子分散液膜中の分散媒を揮発させて単粒子が2次元に最密充填し、高精度に配列している単粒子膜を形成する単粒子膜形成工程、該単粒子膜を基板表面に移し取る単粒子膜移行工程により表面微細凹凸構造体形成用基板を製造する。図中、Pは単粒子、Tは2次元最密充填配列状態における単粒子間の隙間を表す。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
基板表面に単粒子を2次元に最密充填配列して形成されている単粒子膜からなるエッチングマスクを有する表面微細凹凸構造体形成用基板。
IPC (1):
H01L 31/04
FI (1):
H01L31/04 H
F-Term (12):
5F051AA02 ,  5F051BA11 ,  5F051CB18 ,  5F051CB22 ,  5F051CB29 ,  5F051DA03 ,  5F051DA20 ,  5F051EA18 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14 ,  5F051GA15 ,  5F051KA09
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (18)
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