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J-GLOBAL ID：200903021570632569

半導体発光装置

Inventor： 片山 琢 ,  小山 剛久 ,  森田 克彦
Applicant, Patent owner： 日本ビクター株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992255868
Publication number (International publication number)：1994085316
Application date： Aug. 31, 1992
Publication date： Mar. 25, 1994
Summary：

【要約】【目的】 最高反射率を維持したまま反射スペクトルの半値幅を広くした反射層を設けた半導体発光装置を提供する。【構成】 半導体発光装置1は、クラッド層6とバッファ層3との間に意図的に膜厚を変えた多層反射層4aと多層反射層4bとを多重化させた多重化多層反射層4を有する。例えば多層反射層4aは、Al0.1 Ga0.9 As半導体層76nmとAl0.7 Ga0.3 As半導体層80nmとを1組として25組積層した多層反射層4aで、多層反射層4bはAl0.1 Ga0.9 As半導体層70nmとAl0.7 Ga0.3 As半導体層75nmとを1組として25組積層した多層反射層4bである。この多層反射層4a,4bの反射中心波長はそれぞれ850nm,910nmで、半値幅はどちらも70〜80nm程度であるが、多重化することで120nmに広げることができる。

Claim (excerpt)：

活性層内で発光した光が、この活性層と平行な面に形成した光取出し面より出力する半導体発光装置において、前記半導体発光装置は、前記活性層から発光した光の中で前記光取出し面と逆側に発光した光を光取出し面側へ反射するための反射層を有し、かつ前記反射層は、少なくとも2種以上の屈折率の異なった半導体結晶層を交互に複数組積層した多層反射層を、反射中心波長を異ならせて少なくとも2個以上多重化した多重化多層反射層であることを特徴とする半導体発光装置。