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J-GLOBAL ID：200903021582904033

光電変換装置およびその製造方法

Inventor： 大倉 央 ,  田 透
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001074348
Publication number (International publication number)：2002280084
Application date： Mar. 15, 2001
Publication date： Sep. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】 電子やホールの授受及び移動をスムーズに行わせる。【解決手段】 電子受容型の電荷輸送層11と、電子供与型の電荷輸送層12と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層16とを少なくとも有する光電変換装置であって、電子受容型の電荷輸送層が針状結晶17を形成し、さらに針状結晶上に粒状酸化錫18が形成されている。

Claim (excerpt)：

電子受容型の電荷輸送層と、電子供与型の電荷輸送層と、これらの電荷輸送層間に存在する光吸収層とを少なくとも有する光電変換装置であって、前記電子受容型の電荷輸送層が、表面上に粒状酸化錫が形成された針状結晶からなる光電変換装置。

IPC (2)：

H01M 14/00 ,  H01L 31/04

FI (2)：

H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 X

F-Term (13)：

5F051AA14 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA08 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032CC11 ,  5H032CC16 ,  5H032EE02