成膜装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003019270
Publication number (International publication number)：2004231994
Application date： Jan. 28, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

【課題】真空槽内に成膜源を有し、基板の成膜処理を行う成膜装置あって、所望する薄膜形成が可能となる成膜装置を提供する。【解決手段】成膜時に、基板1の角度を変更する手段と、基板1と成膜源(図示せず)との距離を変更する手段を備える成膜装置である。また、基板1の冷却手段および基板公転プレート3の中央に膜厚センサー19を備える成膜装置である。【効果】成膜時の基板の角度および基板と成膜源間の距離を変更することができ、成膜条件の異なる多層膜の連続成膜および経時変化にも対応した安定した成膜が可能となる。また、成膜時の基板温度の上昇を抑制することで、高品位な成膜が可能となる。更に、基板に対する成膜を遮ることなく基板公転プレートの中央部に膜厚センサーを設置することで、成膜時の高精度な膜厚管理ができる。以上により、高精度の電子部品に対応した所望する手段を有する成膜装置の提供が可能となる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

真空槽内に成膜源と、公転する基板公転プレートと、前記基板公転プレートに基板を保持する基板ホルダーとを備える成膜装置であって、成膜時に前記基板と前記成膜源間の距離を変更する手段と、前記基板の角度を変更する手段とを備えることを特徴とする成膜装置。

IPC (1)：

C23C14/50

FI (3)：

C23C14/50 E , C23C14/50 G , C23C14/50 K

F-Term (8)：

4K029BC00 , 4K029BD00 , 4K029CA17 , 4K029DA00 , 4K029EA01 , 4K029EA08 , 4K029JA02 , 4K029JA03

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平2-277773
薄膜形成装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-059492 Applicant：三菱電機株式会社
真空蒸着用基板傾斜自公転装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-302913 Applicant：日本真空技術株式会社

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