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J-GLOBAL ID：200903021600862262
半導体素子の放熱構造
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996280822
Publication number (International publication number)：1998125834
Application date： Oct. 23, 1996
Publication date： May. 15, 1998
Summary：
【要約】【課題】構成が簡単で放熱効果の高い半導体系の放熱構造の提供。【解決手段】半導体素子1をフリップチップ実装する。素子1と基板4はバンプ2を介して電気的に接続される。これは、素子1に対し、チップ側パッド3aにバンプ2を形成し、それを基板側パッド3bと接合することにより行い、チップ1と基板4間の隙間は樹脂により封止する。次に印刷、もしくはディスペンサによる塗布方法により高熱伝導性樹脂6を素子1の上に塗布する。素子1で発生した熱は、樹脂6に伝わり、逃げる。素子1の発熱量が大きい場合、高熱伝導性樹脂6を多く塗布し、放熱効果を高めることが可能である。
Claim (excerpt)：
基板にフリップチップ実装した半導体素子において、基板と半導体素子の隙間を低応力樹脂で封止するとともに前記半導体素子を高熱伝導樹脂で覆ったことを特徴とする半導体素子の放熱構造。
IPC (2)：
FI (3)：
H01L 23/40 F
, H01L 21/56 R
, H01L 21/56 E
