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J-GLOBAL ID：200903021617651915

パターン形成方法

Inventor： 三吉 靖郎 ,  佐藤 康彦 ,  大西 廉伸
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997346405
Publication number (International publication number)：1999174684
Application date： Dec. 16, 1997
Publication date： Jul. 02, 1999
Summary：

【要約】【課題】 被加工膜上に形成された有機シリコン膜が、その上に形成する感光性樹脂膜とミキシングを起こすことがなく、かつ反射防止膜としての性能を失うことのないパターン形成方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板上に形成された被加工膜上に、シリコンとシリコンの結合を主鎖に有する有機シリコン化合物のポリマーを含有する有機シリコン膜を形成する工程と、前記有機シリコン膜の表面を改質する工程と、前記改質された有機シリコン膜の表面にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を露光および現像してレジストパターンを形成する工程とを具備することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に形成された被加工膜上に、シリコンとシリコンの結合を主鎖に有する有機シリコン化合物のポリマーを含有する有機シリコン膜を形成する工程と、前記有機シリコン膜の表面を改質する工程と、前記改質された有機シリコン膜の表面にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜を露光および現像してレジストパターンを形成する工程とを具備することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3)：

G03F 7/11 502 ,  G03F 7/075 521 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/11 502 ,  G03F 7/075 521 ,  H01L 21/30 574