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J-GLOBAL ID：200903021628612970
透明導電膜および透明導電膜の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993303600
Publication number (International publication number)：1995157863
Application date： Dec. 03, 1993
Publication date： Jun. 20, 1995
Summary：
【要約】【目的】 室温の成膜により従来のIn2 O3 -SnO2 系と同等の低抵抗値を有する透明導電膜を提供しようとするものである。【構成】 酸化インジウムにレニウムまたはレニウム酸化物がRe/Inの比で0.01〜1.0の割合にて添加されていることを特徴としている。
Claim (excerpt)：
酸化インジウムにレニウムまたはレニウム酸化物がRe/Inの比で0.01〜1.0の割合にて添加されていることを特徴とする透明導電膜。
IPC (2)：
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