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J-GLOBAL ID：200903021629090978
スーパールミネッセントダイオードおよびその製法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
朝日奈 宗太 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992244661
Publication number (International publication number)：1994097494
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 両端面から光出力が取り出せ、オートマチック・パワー・コントロールが容易であり、かつ製作の再現性に優れたスーパールミネッセントダイオードを提供する。【構成】 活性層3の上下を、該活性層よりもバンドギャップエネルギが大きくかつ屈折率の小さい第1導電型の上部クラッド層4、7および第2導電型の下部クラッド層2で挾んだ、化合物半導体からなる電流狭さく型スーパールミネッセントダイオードで、前記上部クラッド層中に、バンドギャップエネルギが前記活性層と等しいかまたは前記活性層よりも小さく、かつ、屈折率が前記活性層と等しいかまたは前記活性層よりも大きい第2導電型の電流ブロッキング層5が、ストライプ状の電流注入領域13を分断するように導入されている。
Claim (excerpt)：
活性層の上下を、該活性層よりもバンドギャップエネルギが大きく、かつ、屈折率の小さい第1導電型の上部クラッド層および第2導電型の下部クラッド層で挾んだ、化合物半導体からなる電流狭さく型スーパールミネッセントダイオードであって、前記第1導電型の上部クラッド層中に、バンドギャップエネルギが前記活性層と等しいかまたは前記活性層よりも小さく、かつ屈折率が前記活性層と等しいかまたは前記活性層よりも大きい第2導電型の電流ブロッキング層が、ストライプ状の電流注入領域を分断するように導入されてなることを特徴とするスーパールミネッセントダイオード。
Patent cited by the Patent：
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