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J-GLOBAL ID：200903021635312443
半導体装置の現像処理方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994198444
Publication number (International publication number)：1996062859
Application date： Aug. 23, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：
【要約】【目的】 半導体基板の現像後のリンス中またはリンス後の乾燥時にリンス液の表面張力を下げレジストパターンの倒れを防止できる半導体装置の現像処理方法を得ること。【構成】 半導体基板1上のフォトレジストを塗布し露光して現像しパターン形成後、純水9でリンスする現像処理方法において、リンス中もしくはリンス後の純水9にアルコール15を加えリンス液をアルコールとの混合液とした。
Claim (excerpt)：
半導体基板上にフォトレジストを塗布し露光して現像しパターン形成後、純水でリンスする現像処理方法において、上記リンス中もしくはリンス後の上記純水にアルコールを混入させ上記半導体基板上のリンス液の表面張力を低下させたことを特徴とする半導体装置の現像処理方法。
IPC (2)：
G03F 7/32 501
, H01L 21/027
