Pat
J-GLOBAL ID：200903021640663785
フォトマスクの製造方法
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996226382
Publication number (International publication number)：1998069055
Application date： Aug. 28, 1996
Publication date： Mar. 10, 1998
Summary：
【要約】【課題】 EB用レジストのドライエッチング耐性が悪いため、レジスト膜減りが大きいこと及びレジストマスク通りのクロム膜パターンが形成されるにはレジストの解像度が低いことの2点がクロム膜のパターニングに影響し、加工できてもKrFエキシマリソグラフィに必要なフォトマスクの寸法精度が得られない。【解決手段】 透明基板1上に遮光膜として、膜厚が60〜70nmのクロム膜2が形成されたブランクマスクに電子ビーム用レジスト3を膜厚が280〜350nmとなるように形成し、電子ビーム描画及び現像することによって、レジスト3をパターニングした後、パターニングしたレジスト3をマスクにクロム膜2をエッチングする。
Claim (excerpt)：
透明基板上に遮光膜が形成されたブランクマスクの上記遮光膜表面に電子ビーム用レジストを膜厚が280nm乃至350nmになるように形成し、電子ビーム描画及び現像することによって、上記レジストをパターニングした後、該パターニングしたレジストをマスクに上記遮光膜をエッチングすることを特徴とする、フォトマスクの製造方法。
IPC (3)：
G03F 1/08
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 541 P
, H01L 21/302 A
