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J-GLOBAL ID：200903021661942129
半導体発光装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
柏谷 昭司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997259651
Publication number (International publication number)：1999097803
Application date： Sep. 25, 1997
Publication date： Apr. 09, 1999
Summary：
【要約】【課題】 半導体発光装置に関し、SiCからなる基板を用い、エピタキシャル成長層の表面状態を良好に維持しながら、活性層や光閉じ込め層に加わる歪みを小さく抑えることができるようにする。【解決手段】 6H-SiC(0001)C 基板11とn-Al0.1 Ga0.9 N第1バッファ層12との界面からエピタキシャル成長層表面側に向かって0.2〔μm〕〜0.4〔μm〕までの領域に在るエピタキシャル成長層がAl組成0〔%〕乃至9〔%〕以下のAlGaN層であると共にこのAlGaN層と同じAl組成をもつn-Al0.05Ga0.95N光閉じ込め層15或いはp-Al0.05Ga0.95N光閉じ込め層17が含まれている。
Claim (excerpt)：
SiC基板とエピタキシャル成長層との界面からエピタキシャル成長層表面側に向かって0.2〔μm〕〜0.4〔μm〕までの領域に在るエピタキシャル成長層がAl組成0〔%〕乃至9〔%〕以下のAlGaN層であると共にこのAlGaN層と同じAl組成をもつAlGaN光閉じ込め層が含まれてなることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (2)：
FI (2)：
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