Pat

J-GLOBAL ID：200903021671216469

3又はそれ以上の位相シフトを有する位相シフトリソグラフィマスクの自己整合作製法

Inventor： ジョセフ ジェラルド ガロファロ ,  クリストフ ピエラット
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993158554
Publication number (International publication number)：1994059436
Application date： Jun. 29, 1993
Publication date： Mar. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】 3又はそれ以上の位相シフトを有する位相シフトリソブクフィマスクの自己整合作製法を提供する。【構成】 2又はそれ以上の自己整合位相シフト領域を有する位相シフトリソグラフィマスクが、電子ビーム、イオンビーム又はフォトンビーム放射のような化学線作用放射の相互に異なるドーズ(ゼロを含んでもよい)を受けた3つ又はそれ以上の領域(411、412、410、401)を有する保護レジスト層を用いる位相シフトマスクの一連のエッチングにより作製される。自己整合不透明領域は、残ったレジスト材料の炭化により与えられる。

Claim (excerpt)：

a) あらかじめ決められた波長の光放射に対し透明な基体の主表面上に配置された均一な組成と均一な厚さを有する最初のレジスト層の第1、第2及び第4の領域(411、410、401)中に、化学線作用の放射の第1、第2及び第3の相互に異なるドーズレベル(D0、D2、D3)を導入し、それによって第1、第2及び第3の領域は、工程(b)の間、相互に異なる厚さの減少速度をもつ工程、b) 最初のレジスト層に第1、第2及び第3のレジスト層領域の厚さを、相互に異なる量に減少させる第1の処理を行い、特に第1の領域の厚さを第2及び第3の領域の厚さより小さい量まで減少させる工程、c) 残ったレジスト層及び最初のレジスト層の第1の領域下にある基体の第1の領域に、基体の第1の領域を基体の平坦表面下のあらかじめ決められた深さまで下方にエッチングする第2の処理を行う工程、及びd) 残ったレジスト層に、その残った第2の領域の厚さを、残ったレジスト層の残った第3の領域の厚さより小さい量まで減少させる第3の処理を行う工程を含むことを特徴とする位相シフトマスクの作製方法。

IPC (2)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-034854
  
• 特開平4-051151
  
• 特開昭55-045019