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J-GLOBAL ID：200903021672573311

ダイヤモンドの気相成長方法

Inventor： 佐々木 謙一 ,  栗原 和明 ,  河原田 元信
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991180009
Publication number (International publication number)：1993024987
Application date： Jul. 20, 1991
Publication date： Feb. 02, 1993
Summary：

【要約】【目的】 ダイヤモンド膜の製造方法に関し、低温のCVD 反応で形成することを目的とする。【構成】 炭素を含むハロゲン化合物をソースとし、気相成長法により被処理基板上に供給してダイヤモンドを成長させる方法において、加熱或いはマイクロ波の照射などの方法でエネルギーを与えて活性化した炭素を含むハロゲン化合物をジェット噴流として被処理基板に供給することを特徴としてダイヤモンドの気相成長方法を構成する。

Claim (excerpt)：

炭素を含むハロゲン化合物をソースとし、気相成長法により被処理基板上に供給してダイヤモンドを成長させる方法において、エネルギーを与えて活性化した前記炭素を含むハロゲン化合物をジェット噴流として被処理基板上に供給することを特徴とするダイヤモンドの気相成長方法。

IPC (5)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/14 ,  C30B 25/16