Pat

J-GLOBAL ID：200903021676888643

磁性半導体装置および磁性記録・再生装置

Inventor： 野津 哲郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997237029
Publication number (International publication number)：1999087796
Application date： Sep. 02, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】高感度かつ高速応答可能な磁気ヘッドを実現する。【解決手段】p型エミッタ層としてのp型GaAs層10、n型ベース層としてのn型GaAs層11、p型コレクタ層としてのp型磁性半導体層(In0.95Mn0.05As層)2、p型エミッタコンタクト層としてのp型GaAs層12を順次積層し、p型GaAs層10にエミッタ電極としてのp型オーミック電極13、n型GaAs層11にベース電極としてのn型オーミック電極14、p型磁性半導体層2にコレクタ電極としてのp型オーミック電極15をそれぞれ設けてなるバイポーラトランジスタ構造を磁気ヘッドとして使用する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に設けられ、内部のキャリア密度により磁気秩序が変化する第1導電型の第1の半導体層と、この第1の半導体層中のキャリア密度を変化させ、前記第1の半導体層の磁気秩序を制御するための制御電極とを具備してなることを特徴とする磁性半導体装置。

IPC (3)：

H01L 43/00 ,  G11B 5/31 ,  H01L 29/66

FI (3)：

H01L 43/00 ,  G11B 5/31 Z ,  H01L 29/66