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J-GLOBAL ID：200903021679473347

GaNの研磨方法及びGaN用研磨剤

Inventor： 古滝 敏郎 ,  砂川 和彦 ,  竹内 敦子 ,  矢口 洋一 ,  会田 英雄
Applicant, Patent owner： 並木精密宝石株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003073390
Publication number (International publication number)：2004281865
Application date： Mar. 18, 2003
Publication date： Oct. 07, 2004
Summary：

【課題】GaN結晶の研磨面にエッチピットが発生しにくく、良好な研磨面が得られるGaNの研磨方法を提供すること。【解決手段】GaNの研磨方法において、水酸化ナトリウム溶液又は水酸化カリウム溶液に水酸化ガリウムを混合した研磨液を用いてメカノケミカル研磨する工程を含むことを特徴とするGaNの研磨方法である。これにより、GaN結晶の研磨面にエッチピットが発生しにくく、良好な研磨面が得られるため、この研磨面にGaN膜をエピタキシャル成長させると、非常に良好なGaN膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

GaNの研磨方法において、 水酸化ナトリウム溶液又は水酸化カリウム溶液に水酸化ガリウムを混合した研磨液を用いてメカノケミカル研磨する工程を含むことを特徴とするGaNの研磨方法。

IPC (4)：

H01L21/304 ,  C09K13/02 ,  C30B29/38 ,  C30B33/00

FI (4)：

H01L21/304 622C ,  C09K13/02 ,  C30B29/38 D ,  C30B33/00

F-Term (3)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077FG12