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J-GLOBAL ID:200903021680801870
ポジ型レジスト組成物
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小栗 昌平 (外4名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000363338
Publication number (International publication number):2002169287
Application date: Nov. 29, 2000
Publication date: Jun. 14, 2002
Summary:
【要約】【課題】160nm以下、特にF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には157nmの光源使用時に十分な透過性を示し、且つ塗布性、現像欠陥を満足するポジ型レジスト組成物、更に良好な感度、解像度でパターンを形成し、酸素プラズマ耐性も優れるポジ型レジスト組成物を提供すること。【解決手段】(A)ポリマー骨格の主鎖及び/又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つシリコン基を有する繰り返し構造単位を含む、酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する溶解度を増大する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
Claim (excerpt):
(A)ポリマー骨格の主鎖及び/又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つシリコン基を有する繰り返し構造単位を含む、酸の作用により分解しアルカリ現像液に対する溶解度を増大する樹脂、及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するポジ型レジスト組成物。
IPC (4):
G03F 7/039 601
, C08K 5/00
, C08L101/02
, H01L 21/027
FI (4):
G03F 7/039 601
, C08K 5/00
, C08L101/02
, H01L 21/30 502 R
F-Term (35):
2H025AA01
, 2H025AA02
, 2H025AA04
, 2H025AA09
, 2H025AA18
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC08
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB06
, 2H025CB08
, 2H025CB10
, 2H025CB14
, 2H025CB34
, 2H025CB41
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 4J002AA031
, 4J002BD121
, 4J002BG071
, 4J002BH021
, 4J002BQ001
, 4J002ER028
, 4J002EU048
, 4J002EU118
, 4J002EU138
, 4J002EV296
, 4J002FD206
, 4J002FD208
, 4J002FD317
, 4J002GP03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (13)
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ポジ型感放射線性組成物およびこれを用いたレジストパターンの製造法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-106857
Applicant:東レ株式会社
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ポジ型感光性樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-144437
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
ポジ型感光性樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-250050
Applicant:富士写真フイルム株式会社
-
スルホン酸オニウム塩化合物および感放射線性樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-135030
Applicant:ジェイエスアール株式会社
-
レジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-059808
Applicant:ジェイエスアール株式会社
-
感放射線性樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-362868
Applicant:ジェイエスアール株式会社
-
高分子化合物、化学増幅レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-037403
Applicant:信越化学工業株式会社
-
高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-159834
Applicant:信越化学工業株式会社
-
ポリシロキサン
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-300517
Applicant:ジェイエスアール株式会社
-
感放射線性組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-303204
Applicant:東レ株式会社
-
パターン形成材料及びパターン形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-117688
Applicant:松下電器産業株式会社
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特開平3-217845
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オーバーコート材料
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-177575
Applicant:日本電信電話株式会社, 信越化学工業株式会社
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