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J-GLOBAL ID：200903021685389102

強誘電体デバイス

Inventor： 中村 孝
Applicant, Patent owner： ローム株式会社
Agent (1)： 安村 高明 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991205875
Publication number (International publication number)：1993090600
Application date： Aug. 16, 1991
Publication date： Apr. 09, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 強誘電体層の導電体との界面での膜疲労を減少させる。【構成】 強誘電体デバイスを構成する導電体と強誘電体層2間に膜疲労を緩和する中間層3を形成する。

Claim (excerpt)：

変位分極による自発分極を持つ強誘電体又は強誘電体薄膜を、一対の導電体基板又は導電体薄膜の間に介在させた構造の強誘電体デバイスにおいて、前記強誘電体と導電体の間に、強誘電体と同じ方向に変位分極を生じて常温で残留分極が大略0になるペロブスカイト構造を持つ界面における応力緩和用の中間層を夫々介在させてなることを特徴とする強誘電体デバイス。

IPC (2)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平2-049471
  
• 特開平3-069512
  
• 特開平2-248089
  
• 特開平4-206870