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J-GLOBAL ID：200903021694097521
成膜装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998153056
Publication number (International publication number)：1999350143
Application date： Jun. 02, 1998
Publication date： Dec. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】 液晶や半導体装置の製造装置であるCVD装置等の成膜装置で、特に、反応室内の被加工物に活性化ガスを適正に供給・制御し、被加工物の膜厚のばらつきを低減する。【解決手段】 プラズマ反応室1の内部のシャワープレート7の厚さを制御することで反応ガスの供給量を制御し、被加工物2に生成された薄膜の膜厚ばらつきを低減させることができ、ガラス基板等の膜厚分布を効率よく改善することが可能となる。
Claim (excerpt)：
反応室内に設けられ被加工物を保持するテーブルと、前記反応室内に反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、前記反応ガスを活性化するガス活性化手段と、前記加工物と前記反応ガス供給手段の間に設けられた板厚が不均一なシャワープレートを有することを特徴とする成膜装置。
IPC (2)：
FI (3)：
C23C 16/44 D
, C23C 16/44 C
, H01L 21/205
