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J-GLOBAL ID：200903021699712844
透明導電膜およびその形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991327309
Publication number (International publication number)：1993166414
Application date： Dec. 11, 1991
Publication date： Jul. 02, 1993
Summary：
【要約】【目的】 低抵抗で高透過率の透明導電膜の構成およびその膜を形成する方法を提供する。【構成】 粒子径が30nm〜100nmのインジウムと錫との酸化物粒子から構成される透明導電膜。無機インジウム化合物と有機スズ化合物と、インジウムとスズのいずれとも配位可能な有機化合物とからなる有機溶液を水蒸気加圧下で加熱処理することにより、有機化合物が1部配位した無機インジウム化合物と有機スズ化合物と無機インジウム化合物が含有する結晶水が反応し、有機スズ化合物が部分的に加水分解されて、インジウムとスズの中間複合化合物を形成し、これによって従来の課題であったスズの蒸散による膜の不均一化を抑え、平均の粒子径が30〜100nmになる。【効果】 本発明になる透明導電膜は低抵抗と高透過率である。
Claim (excerpt)：
粒子径が30〜100nmのインジウムと錫との酸化物粒子から構成される透明導電膜。
IPC (5)：
H01B 5/14
, B22F 7/04
, G02F 1/1343
, G09F 9/30 365
, H05B 33/28
