光学活性含弗素ビナフトール誘導体

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西澤利夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999327423
Publication number (International publication number)：2001139508
Application date： Nov. 17, 1999
Publication date： May. 22, 2001
Summary：

【要約】【課題】より高い反応収率と光学収率(選択性)を不斉合成において可能とし、不斉触媒等として有用な、新規な光学活性ビナフトール誘導体と、これを用いた不斉触媒並びに不斉合成法を提供する。【解決手段】次式(I)【化1】(式中のR1 およびR2 は、各々、弗素化炭化水素基を示す)で表わされる光学活性含弗素ビナフトール誘導体とする。

Claim (excerpt)：

次式(I)【化1】(式中のR1 およびR2 は、各々、弗素化炭化水素基を示す)で表わされる光学活性含弗素ビナフトール誘導体。

IPC (7)：

C07C 39/38 , B01J 31/22 , C07B 53/00 , C07C 37/055 , C07C 37/62 , C07B 61/00 300 , C07M 7:00

FI (8)：

C07C 39/38 , B01J 31/22 Z , C07B 53/00 C , C07B 53/00 B , C07C 37/055 , C07C 37/62 , C07B 61/00 300 , C07M 7:00

F-Term (67)：

4G069AA02 , 4G069AA08 , 4G069BC16A , 4G069BC16B , 4G069BC16C , 4G069BC17A , 4G069BC17B , 4G069BC17C , 4G069BC22A , 4G069BC22B , 4G069BC22C , 4G069BC25A , 4G069BC25B , 4G069BC25C , 4G069BC41A , 4G069BC41B , 4G069BC41C , 4G069BC50A , 4G069BC50B , 4G069BC50C , 4G069BC51A , 4G069BC51B , 4G069BC51C , 4G069BD03A , 4G069BD03B , 4G069BD03C , 4G069BD05A , 4G069BD05B , 4G069BD05C , 4G069BE34A , 4G069BE34B , 4G069BE34C , 4G069BE37A , 4G069BE37B , 4G069BE37C , 4G069CB57 , 4G069FA01 , 4G069FB77 , 4H006AA01 , 4H006AA02 , 4H006AA03 , 4H006AB40 , 4H006AC30 , 4H006AC52 , 4H006AC80 , 4H006AC81 , 4H006BA02 , 4H006BA05 , 4H006BA08 , 4H006BA09 , 4H006BA10 , 4H006BA11 , 4H006BA13 , 4H006BA28 , 4H006BA32 , 4H006BA37 , 4H006BM10 , 4H006BM71 , 4H006BN30 , 4H006FC54 , 4H006FE13 , 4H006FE71 , 4H006FE76 , 4H039CA50 , 4H039CB20 , 4H039CB30 , 4H039CD20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

希土類金属錯体触媒を用いる不斉エポキシ化反応
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-279226 Applicant：日産化学工業株式会社
金属錯体を用いた不斉化合物の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-046106 Applicant：長瀬産業株式会社

Return to Previous Page