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J-GLOBAL ID：200903021733406235

磁気メモリとその駆動方法、およびこれを用いた磁気メモリ装置

Inventor： 平本 雅祥 ,  松川 望 ,  小田川 明弘 ,  里見 三男 ,  杉田 康成 ,  川島 良男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002178745
Publication number (International publication number)：2003078114
Application date： Jun. 19, 2002
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高集積化に伴う問題を解消しやすくするために、多値化が可能な磁気メモリを提供する。【解決手段】 層の厚さ方向に積層された2以上のメモリ層と2以上のトンネル層とを含み、上記2以上のメモリ層が電気的に直列に接続され、上記2以上のメモリ層から選ばれる少なくとも1つからなる第1層群における磁化反転により生じる抵抗変化と、上記2以上のメモリ層から選ばれる少なくとも1つからなる第2層群における磁化反転により生じる抵抗変化とが互いに相違する磁気メモリとする。

Claim (excerpt)：

層の厚さ方向に積層された2以上のメモリ層と2以上のトンネル層とを含み、前記2以上のメモリ層が電気的に直列に接続され、前記2以上のメモリ層から選ばれる少なくとも1つからなる第1層群における磁化反転により生じる抵抗変化と、前記2以上のメモリ層から選ばれる少なくとも1つからなる第2層群における磁化反転により生じる抵抗変化とが互いに相違する磁気メモリ。

IPC (5)：

H01L 27/105 ,  G11C 11/15 110 ,  G11C 11/15 140 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 43/08

FI (5)：

G11C 11/15 110 ,  G11C 11/15 140 ,  H01L 27/10 461 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

F-Term (13)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083GA15 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA18 ,  5F083PR04 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21