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J-GLOBAL ID：200903021738757001

アモルファスナノスケールカーボンチューブの製造方法

Inventor： 西野 仁 ,  中岡 春雪 ,  西田 亮一 ,  松井 丈雄
Applicant, Patent owner： 大阪瓦斯株式会社
Agent (1)： 三枝 英二 (外8名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001095827
Publication number (International publication number)：2002293520
Application date： Mar. 29, 2001
Publication date： Oct. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 狭い分布幅で比較的細い外径を有するアモルファスナノスケールカーボンチューブを製造できる方法を提供する。【解決手段】 (1) 銅金属を存在させた反応系で、減圧下又は不活性ガス雰囲気中、鉄塩化物とフッ素・炭素含有化合物とを加熱して、フッ化鉄ナノスケールウィスカーの表面に熱分解炭素が堆積した外径が100nm以下のアモルファスカーボン被覆ナノスケールウィスカーを、該銅金属上に生成させ、(2)上記工程(1)で得られるアモルファスカーボン被覆ナノスケールウィスカーから、フッ化鉄ナノスケールウィスカーを除去し、炭素からなる壁部を残して、外径が100nm以下のアモルファスナノスケールカーボンチューブを前記銅金属上に残す。

Claim (excerpt)：

銅金属を存在させた反応系において、減圧下又は不活性ガス雰囲気中で、(a)フッ素と炭素とを含有する化合物及び(b)鉄塩化物を加熱することにより、フッ化鉄からなるナノスケールウィスカーの表面に熱分解炭素が堆積した外径が100nm以下のアモルファスカーボン被覆ナノスケールウィスカーを、該銅金属上に生成させることを特徴とするアモルファスカーボン被覆ナノスケールウィスカーの製造方法。

IPC (8)：

C01B 31/02 101 ,  B01J 23/72 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C23C 16/26 ,  C23C 26/00 ,  C30B 29/62 ,  D01F 9/08

FI (8)：

C01B 31/02 101 F ,  B01J 23/72 M ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00 ,  C23C 16/26 ,  C23C 26/00 Z ,  C30B 29/62 S ,  D01F 9/08 Z

F-Term (50)：

4G046CA00 ,  4G046CA04 ,  4G046CB03 ,  4G046CC06 ,  4G069BB02A ,  4G069BB02B ,  4G069BC31A ,  4G069BC31B ,  4G069CD10 ,  4G069DA06 ,  4G069EA12 ,  4G069FC07 ,  4G077AA04 ,  4G077BA02 ,  4G077DB05 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA05 ,  4G077ED06 ,  4G077FE20 ,  4G077FJ04 ,  4G077TA02 ,  4G077TA07 ,  4G077TB04 ,  4G077TC01 ,  4G077TC03 ,  4G077TC07 ,  4G077TC16 ,  4K030AA09 ,  4K030BA27 ,  4K030BB05 ,  4K030CA08 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K044AA06 ,  4K044AB01 ,  4K044AB02 ,  4K044BA18 ,  4K044BB01 ,  4K044BB17 ,  4K044BC01 ,  4K044BC14 ,  4L037CS15 ,  4L037CS38 ,  4L037FA20 ,  4L037PA03 ,  4L037PA11 ,  4L037PA14 ,  4L037PA26 ,  4L037UA20