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J-GLOBAL ID：200903021741738492

II-VI族化合物半導体装置及びその製造方法

Inventor： 村上 正紀 ,  小出 康夫 ,  寺口 信明 ,  友村 好隆
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994053588
Publication number (International publication number)：1995263751
Application date： Mar. 24, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【構成】 p型Znx Mg1-x S y Se1-y (0≦x≦1,0≦y≦1)半導体層を有し、該半導体層上に少なくとも金属の窒化物層を介して電極層が形成されて構成されているII-VI族化合物半導体装置。【効果】 接触抵抗の小さい電極を有することにより、低い動作電圧を有する青色発光素子の実現が可能となる。

Claim (excerpt)：

p型Znx Mg1-x S y Se1-y (0≦x≦1,0≦y≦1)半導体層を有し、該半導体層上に少なくとも金属性窒化物層を介して電極層が形成されて構成されていることを特徴とするII-VI族化合物半導体装置。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 29/43 ,  H01S 3/18