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J-GLOBAL ID：200903021743658275

GaN半導体結晶成長用Siウエーハ、それを用いたGaN発光素子用ウエーハ及びそれらの製造方法

Inventor： 中西 秀夫 ,  寺嶋 一高 ,  西村 鈴香
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社 ,  寺嶋 一高 ,  西村 鈴香
Agent (1)： 高 雄次郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999164835
Publication number (International publication number)：2000351692
Application date： Jun. 11, 1999
Publication date： Dec. 19, 2000
Summary：

【要約】【課題】 閃亜鉛鉱型結晶構造のGaN層を良好に形成し得るGaN半導体結晶成長用Siウエーハを提供する。【解決手段】 CZ法によるSi基板の表面から厚み方向へ少なくとも3μmの間に亘って低酸素濃度で酸素析出物が無く、かつ、表面構造が全面に亘ってダブルステップレーヤになっている。

Claim (excerpt)：

CZ法によるSi基板の表面から厚み方向へ少なくとも3μmの間に亘って低酸素濃度で酸素析出物が無く、かつ、表面構造が全面に亘ってダブルステップレーヤとなっていることを特徴とするGaN半導体結晶成長用Siウエーハ。

IPC (5)：

C30B 29/06 ,  C30B 29/38 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 ,  H01L 33/00

FI (5)：

C30B 29/06 A ,  C30B 29/38 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/208 P ,  H01L 33/00 C

F-Term (48)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077BE15 ,  4G077CF10 ,  4G077FE11 ,  4G077HA02 ,  5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F045AB02 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC08 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045AF11 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA52 ,  5F045DA53 ,  5F045DA66 ,  5F045EB15 ,  5F045EK03 ,  5F053AA12 ,  5F053DD01 ,  5F053DD20 ,  5F053FF02 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053KK03 ,  5F053LL02 ,  5F053LL03 ,  5F053PP03 ,  5F053PP12 ,  5F053RR04 ,  5F053RR11

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 注射針ユニットの取り外し装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-187953   Applicant：株式会社デントロニクス

Cited by examiner (1)

• 注射針ユニットの取り外し装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-187953   Applicant：株式会社デントロニクス