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J-GLOBAL ID：200903021744541630

不揮発性半導体記憶装置

Inventor：
吉田 敬一

About 吉田 敬一

, 
久保埜 昌次

About 久保埜 昌次


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所

, 
株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ

About 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ


Agent (1)： 大日方 富雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998290562
Publication number (International publication number)：1999195299
Application date： Jul. 10, 1996
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】 フラッシュメモリでは、消去レベルに近いしきい値のメモリセルから、しきい値が遠いメモリセルへ順次書込みを行なうようにすると、ワード線ディスターブによるしきい値の変動が大きい。また、書込みの際にしきい値をずらしたいすべてのメモリセルに対して書込みパルスを印加するため、書込み時のピーク電流が増大するともに平均消費電力も多くなるという課題があった。【解決手段】 複数のしきい値を設定して1つのメモリセルに多値の情報を記憶させるようにした不揮発性半導体記憶装置において、消去レベルから遠いしきい値のメモリセルへの書込みから開始して順次しきい値が近いメモリセルへの書込みを行なうようにした。
Claim (excerpt)：
コントロールゲート及びフローティングゲートを各々が有し、データをしきい値として格納する複数のメモリセルを有し、各々のメモリセルのしきい値は、消去状態とされる第1しきい値領域及び上記第1しきい値領域とは異なる書き込み状態とされる複数のしきい値領域の中の1つにされ、消去状態のメモリセルにデータを書き込む時、選択されたメモリセルは上記消去状態のしきい値領域から書き込み状態として一番低い第2しきい値領域にされ、さらに、データを書き込む時上記第1しきい値領域内のメモリセルが上記第1しきい値領域から上記第2しきい値領域より高い第3しきい値領域にされる不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06
FI (4)：
G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 621 A ,  G11C 17/00 631
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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