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J-GLOBAL ID：200903021761242116

半導体式ガスセンサ

Inventor： 粂川 武弘 ,  山形 実 ,  能登谷 正之 ,  佐藤 博 ,  八島 勇 ,  辰元 克充
Applicant, Patent owner： 三井鉱山株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992356504
Publication number (International publication number)：1995311171
Application date： Dec. 22, 1992
Publication date： Nov. 28, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ガスを検知するために予め素子に電流を流しておくことなく、各種ガスを広範囲の濃度で測定でき、センサ装置の小型化や回路との一体化が可能で、酸化性、還元性、不活性雰囲気においても使用可能なガスセンサを提供する。【構成】 ダイヤモンド半導体層表面に形成された電極が所定数電気的に接続されてなる半導体式ガスセンサにおいて、電気的に接続された1対の電極がダイヤモンド半導体層と形成するそれぞれの界面に温度差を生じさせる温度調節手段を設けてなることを特徴とする半導体式ガスセンサ。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド半導体層表面に形成された電極が所定数電気的に接続されてなる半導体式ガスセンサにおいて、電気的に接続された1対の電極がダイヤモンド半導体層と形成するそれぞれの界面に温度差を生じさせる温度調節手段を設けてなることを特徴とする半導体式ガスセンサ。