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J-GLOBAL ID：200903021808085405

シリカ含有セラミックコーティングの形成方法

Inventor： デビッド スティーブン バランス ,  マリー ノートン エクステイン ,  マーク ジョン ロボダ ,  キース ウィントン マイケル ,  リバティ ベル シェルトン
Applicant, Patent owner： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
Agent (1)： 宇井 正一 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993172968
Publication number (International publication number)：1994191970
Application date： Jul. 13, 1993
Publication date： Jul. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 シリカ含有セラミックコーティングを基板上に形成させる低温法を提供する。【構成】 本発明の方法は、水素化珪素含有樹脂を含んで成るコーティングを基板上に適用する工程と、そのコーティングした基板を、亜酸化窒素を含んで成る環境において、樹脂をシリカ含有セラミックコーティングへ転化するのに十分な温度で加熱する工程とを含んで成る。【効果】 本発明の方法は、電子装置表面に保護コーティングや誘電体コーティングを形成させるのに特に有益である。

Claim (excerpt)：

シリカ含有セラミックコーティングを基板上に形成する方法において、構造式(SiO2 )x (RSiO3/2 )y (R2 SiO)z で示される水素化珪素樹脂を含んで成るコーティングを基板上に適用する工程(前記構造式中、Rは、各々独立に、水素または炭素原子数1〜20個の炭化水素を含んで成り、yは、0.05〜1のモル分率であり、そしてx及びzは、0〜0.95のモル分率であるが、但しR基の少なくとも20%は水素である);並びにコーティングした基板を、亜酸化窒素を含んで成る雰囲気において、該水素化珪素樹脂コーティングをシリカ含有セラミックコーティングへ転化するのに十分な温度で加熱する工程を含んで成るシリカ含有セラミックコーティングの形成方法。

IPC (2)：

C04B 41/87 ,  C09D183/04 PMS