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J-GLOBAL ID：200903021809688626

薄膜トランジスタ

Inventor： 島野 卓也 ,  福田 加一 ,  内古閑 修一 ,  茨木 伸樹 ,  鈴木 幸治
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 則近 憲佑
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992323495
Publication number (International publication number)：1994177387
Application date： Dec. 03, 1992
Publication date： Jun. 24, 1994
Summary：

【要約】【構成】薄膜トランジスタのチャネル領域17において、非晶質硅素薄膜14のチャネル方向に垂直な方向の幅α1が無機保護膜15とソース、ドレイン電極20,21のいずれのチャネル方向に垂直な方向の幅β1,γ1よりも小さく、且つ非晶質硅素薄膜14のチャネル方向に垂直な方向の外形14aが無機保護膜15とソース、ドレイン電極20,21のいずれのチャネル方向に垂直な方向の外形15a,20a,21aよりも内側に位置する。【効果】ソース、ドレイン電極20,21と非晶質硅素薄膜14とが電気的に接続されている領域に上方から光が照射されないため、光リーク電流の小さい高性能の非晶質硅素薄膜トランジスタが得られる。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜、非晶質硅素薄膜、無機保護膜、低抵抗半導体薄膜、ソース電極及びドレイン電極を形成してなる薄膜トランジスタにおいて、少なくともチャネル領域における前記非晶質硅素薄膜のチャネル方向に垂直な方向の幅が、前記チャネル領域における前記無機保護膜と前記ソース電極或いは前記ドレイン電極のいずれのチャネル方向に垂直な方向の幅よりも小さく、且つ前記チャネル領域における非晶質硅素薄膜の前記チャネル方向に垂直な方向の外形が、前記チャネル領域における前記無機保護膜と前記ソース電極或いは前記ドレイン電極のいずれの前記チャネル方向に垂直な方向の外形よりも内側に位置することを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  G02F 1/136 500