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J-GLOBAL ID：200903021809871269

磁気センサー

Inventor：
斉藤 好昭

About 斉藤 好昭

, 
水島 公一

About 水島 公一


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001088231
Publication number (International publication number)：2002289943
Application date： Mar. 26, 2001
Publication date： Oct. 04, 2002
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】MR比の大きい磁気抵抗効果型磁気センサーを提供する。【解決手段】MOSFET2は半導体基板11に形成されたソース領域12、ドレイン領域13、ゲート絶縁膜16を介して形成されたゲート電極としての下地電極20により構成されている。TMR素子1は下地電極20上にゲート引き出し電極18と隣接しかつ離隔して形成され、その上面には定電流を流し込むバイアス電極17が形成されている。上記構成において、TMR素子1に定電流を流し、MOSFET2のゲートデバイスを変化させ、TMR素子1のMR比を増幅した出力をMOSFET2のソース・ドレイン電流として得る。
Claim (excerpt)：
半導体基板と、前記半導体基板表面に形成された一対のソース・ドレイン領域と、前記一対のソース・ドレイン領域で挟まれた半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極上に電気的に接続され、第1の反強磁性層と、第1の強磁性層と、第1のトンネルバリア層と、第2の強磁性層と、第2のトンネルバリア層と、第3の強磁性層と、第2の反強磁性層とがこの順に積層された強磁性トンネル接合素子と、を具備することを特徴とする磁気センサー。
IPC (4)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32
FI (4)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  G01R 33/06 R
F-Term (16)：
2G017AA10 ,  2G017AD55 ,  5D034BA03 ,  5D034BA05 ,  5D034BA08 ,  5D034BA12 ,  5D034BA15 ,  5D034BA16 ,  5D034BB14 ,  5D034CA04 ,  5D034CA08 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB10 ,  5E049DB12
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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